eMode GaN FET(氮化鎵場效應晶體管)

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

結果: 12
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 1,976庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1,945庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 1,904庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 1,976庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 SOT8074 650V 17A FET 2,060庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 SOT8075 650V 17A FET 1,728庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 SOT8072 100V 60A FET 1,705庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 SOT8073 150V 28A FET 4,698庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 SOT8074 650V 29A FET 286庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 SOT8074 650V 11.5A FET 720庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 SOT8075 650V 11.5A FET
2,483預期2026/3/9
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement