4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
IXYS MOSFET 4500V 0.9A HV Power MOSFET
規格書
166庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 900 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
規格書
296庫存量
510預期2026/6/26
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
規格書
436在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 1A HV Power MOSFET
規格書
116預期2026/8/7
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 3 A 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 2A HV Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement Tube