AFGB30T65RQDN

onsemi
863-AFGB30T65RQDN
AFGB30T65RQDN

製造商：

說明：
IGBT 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

壽命週期:
新產品:
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規格書:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$145.86 NT$145.86
NT$95.88 NT$958.80
NT$71.74 NT$7,174.00
NT$63.92 NT$31,960.00
完整捲（訂購多個800）
NT$56.44 NT$45,152.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
650 V
1.58 V
20 V, 30 V
68 A
235.48 W
- 55 C
+ 175 C
AFGB30T65RQDN
Reel
Cut Tape
品牌: onsemi
產品類型: IGBTs
原廠包裝數量: 800
子類別: Transistors
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所選屬性: 0

規格書

PCN

USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers the optimum performance for automotive applications. This IGBT features high current capability, fast switching, high input impedance, and tightened parameter distribution. The AFGB30T65RQDN IGBT is short circuit rated and offers a high figure of merit with low conduction and switching losses. This IGBT is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include the E-compressor for HEV/EV and the PTC Heater for HEV/EV.

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