IX4352NE 9A低側SiC MOSFET和IGBT驅動器

IXYS IX4352NE 9A低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器是專為驅動SiC MOSFET和高功率IGBT所設計，具有獨立的9A源極與汲極輸出，能量身打造開啟和關閉時序，還能將開關損耗降到最低。內建負電荷穩壓器，提供使用者可選擇的負閘極驅動偏壓，能改善dV/dt抗擾性並加快關閉速度。去飽和偵測電路可感測SiC MOSFET過電流狀況並啟動軟關閉，防止可能造成傷害的dV/dt事件。裝置的IN非反向邏輯輸入與TTL和CMOS相容，內建電平轉換器提供必要的偏壓，能適應負閘極驅動偏壓。裝置亦包括欠壓鎖定 (UVLO) 偵測和過熱關機等保護功能。漏極開路FAULT輸出能向微控制器發出故障狀況訊號。XYS IX4352NE模組採用經過熱強化的16腳位窄型SOIC封裝。