DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM是革新性和先導性技術，允許應用在時鐘訊號的上升和下降邊緣傳送資料。這可使帶寬翻倍，並改善SDR SDRAM性能。為實現此功能，Micron採用2n-prefetch架構，其中內部資料匯流排是外部資料匯流排大小的兩倍，因此每個時鐘週期內資料擷取可進行兩次。

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT
規格書
產品評論
5,082庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 4,104

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT
規格書
產品評論
3,916庫存量
3,240預期2026/2/27
最少： 1
倍數： 1
最大： 4,320

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512M 32MX16 FBGA
產品評論
1,973庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 1,980
捲: 2,000

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM DDR 512M 32MX16 TSOP
產品評論
1,677庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 1,727
捲: 2,000

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT
規格書
產品評論
2,150庫存量
6,480在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT
規格書
產品評論
740庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 740

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-66 64 M x 8 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 256M 16MX16 FBGA
產品評論
292庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 322
捲: 1,000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel