高密度SiC功率模組

ROHM Semiconductor高密度碳化矽 (SiC) 功率模組專為支援汽車和工業應用中的高效功率轉換而設計。該系列包括TRCDRIVE pack™、HSDIP20、DOT-247等多種封裝平臺,每種均針對不同的功率等級和系統需求進行了優化。這些封裝將SiC MOSFET集成至緊湊的模組結構中,能實現高功率密度、穩定開關性能和高效的熱管理。根據封裝類型的不同,提供有諸如2和1、4合1和6合1等配置,為各種功率轉換和馬達驅動應用提供了靈活性。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 封裝
ROHM Semiconductor MOSFET模組 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60庫存量
最少: 1
倍數: 1
SiC 4 Channel 1.2 kV 70 A 25 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模組 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module 225庫存量
最少: 1
倍數: 1
SiC DOT-247-7 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 106 A 15 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 361 W Tube
ROHM Semiconductor MOSFET模組 half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV. 80庫存量
最少: 1
倍數: 1
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 394 A 8.6 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 1.667 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模組 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60庫存量
最少: 1
倍數: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 47 A 37 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 227 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模組 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60庫存量
最少: 1
倍數: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 4 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模組 750V, 90A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60庫存量
最少: 1
倍數: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk