結果: 41
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.5 Amps 1000V
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
捲: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 40 W Reel, Cut Tape

IXYS MOSFET 24 Amps 1000V
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 267 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 7 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 13 Amps 800V
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 350 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 44 週
最少： 300
倍數： 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.045 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 45 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 67 Amps 100V 0.025 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67 A 25 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 300

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 33 A 170 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS IXTQ3N150M
IXYS MOSFET TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1.5 kV 1.83 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 73 W Tube