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STO33N60M6

Name: STMicroelectronics STO33N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO33N60M6
Price: 200.76 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STO33N60M6

製造商編號：

STO33N60M6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

完成您的設計

規格書:

STO33N60M6 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-LL-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	25 A
Rds On - 漏-源電阻:	125 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.75 V
Qg - 閘極充電:	33.4 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	230 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	7.5 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	33 ns
系列:	MDmesh M6
原廠包裝數量:	1800
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	38.5 ns
標準開啟延遲時間:	19.5 ns
每件重量:	76 mg

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所選屬性: 0

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規格書

STO33N60M6 規格書 (PDF)

PCN

Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 馬來西亞
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

STO65N60DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STO65N60DM6 Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series combining very low recovery charge (Q_rr), recovery time (t_rr), and excellent improvement in R_DS(on). The STO65N60DM6 offers excellent switching performance via the extra driving source pin. This performance makes the STM STO65N60DM6 Power MOSFET ideal for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

STO67N60x MDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested N-channel power MOSFETs suited for switching applications. These power MOSFETs feature excellent switching performance, low gate input resistance, and lower R_DS(on) per area compared to the previous generation. The STO67N60DM6 power MOSFET is a fast-recovery body diode and combines a very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr) with the most effective switching behavior. The STMicroelectronics STO67N60M6 power MOSFET is ideal for LLC converters and boost PFC converters.

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET結合低閘極電荷(Q_g)與優化電容尺寸，為電源轉換應用中的新拓撲結構提供高效率。超級接面MDmesh M6系列提供極高效性能，為高頻率運行帶來更高電源密度及低閘極電荷。M6系列MOSFET具有600至700V的擊穿電壓，並具有豐富的封裝選項，包括TO無鉛(TO-LL)封裝解決方案，可實現高效的熱管理。這些裝置具有適用於工業應用的多種運行電壓，包括充電器、適配器、銀盒模組、LED照明、電訊、伺服器及太陽能。