NXH600B100H4Q2F2S1G

Name: onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G
Brand: onsemi
SKU: 863-600B100H4Q2F2S1G
Price: 6635.1 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-600B100H4Q2F2S1G

製造商編號：

NXH600B100H4Q2F2S1G

製造商：

onsemi

說明：

IGBT 模組 FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

規格書:

NXH600B100H4Q2F2S1G 規格書

ECAD模型:

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	NT$6,635.10	NT$6,635.10
	NT$6,446.74	NT$64,467.40

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	IGBT 模組
產品:	Si/SiC Hybrid Modules
配置:	Triple
集電極-發射極最大電壓VCEO:	1 kV
集電極-發射極飽和電壓:	1.88 V
連續集電極電流在25 C:	173 A
柵射極漏電電流:	350 nA
Pd - 功率消耗 :	422 W
封裝/外殼:	PIM-56
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Tray
品牌:	onsemi
柵極發射機最大電壓:	20 V
安裝風格:	Screw Mount
產品類型:	IGBT Modules
系列:	NXH600B100H4Q2F2S1G
原廠包裝數量:	36
子類別:	IGBTs
技術:	SiC, Si
公司名稱:	EliteSiC

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所選屬性: 0

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規格書

NXH600B100H4Q2F2S1G 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC Hybrid Module

onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC Hybrid Module is a three-channel flying capacitor boost module. Each channel contains two 1000V, 200A IGBTs, and two 1200V, 60A SiC diodes. The module also contains an NTC thermistor. Applications include solar inverters and uninterruptible power supply systems.