600V N-Channel Super Junction MOSFETs

PANJIT 600V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F or TO-247AD-3LD package. The 600V MOSFETs support an RDS(ON) of 74mΩ, 190mΩ, 280mΩ, 360mΩ, 580mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.4A, 8A, 11A, 13.8A, 8A, 20A, or 53A current. The 100% avalanche and Rg-tested PANJIT 600V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

結果: 26
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
Panjit MOSFET 600V 280mohm Super Junction Easy versio
規格書
1,939庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
規格書
1,470庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Panjit MOSFET 600V 190mohm Super Junction Easy versio
規格書
1,937庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
2,488庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 6,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
824庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
1,988庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
794庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V 580mohm Super Junction Easy versio
規格書
1,993庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 580 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET
規格書
2,985庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

Si Through Hole TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 122.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
規格書
1,990庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
規格書
2,000庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole ITO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5.8 V 60 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
規格書
830庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 308 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
規格書
1,997庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 308 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
規格書
2,000庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5.8 V 60 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
規格書
1,470庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AD-3LD N-Channel 1 Channel 600 V 53 A 74 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 84 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
1,929庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
5,990庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 6,000

Si TO-252AA-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
1,989庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Panjit MOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,000
倍數： 2,000

Si Tube
Panjit MOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,000
倍數： 2,000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,000
倍數： 2,000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,000
倍數： 2,000

Si Tube
Panjit MOSFET 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Panjit MOSFET 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,000
倍數： 2,000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 4.4 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 11.5 nC - 55 C + 150 C 23.6 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
規格書
前置作業時間 18 週
最少： 1
倍數： 1

Si Tube