M3S 1200V SiC MOSFET
安森美 (onsemi) M3S 1200V碳化矽 (SiC) MOSFET針對快速切換應用最佳化。裝置採用平面技術,能在負閘極電壓驅動器及閘極的關斷突增下可靠運作。安森美M3S 1200V MOSFET以18V閘極驅動執行驅動時可提供最佳效能,但也適用於15V閘極驅動。M3S提供低切換耗損,採用TO247-4LD封裝,可實現低共源電感。
安森美 (onsemi) M3S 1200V碳化矽 (SiC) MOSFET針對快速切換應用最佳化。裝置採用平面技術,能在負閘極電壓驅動器及閘極的關斷突增下可靠運作。安森美M3S 1200V MOSFET以18V閘極驅動執行驅動時可提供最佳效能,但也適用於15V閘極驅動。M3S提供低切換耗損,採用TO247-4LD封裝,可實現低共源電感。