TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.

結果: 29
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
規格書
1,383庫存量
3,000預期2026/2/19
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SC-70W-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9 A - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET SOT669 100V 126A N-CH MOSFET
規格書
943庫存量
12,000預期2026/2/19
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 54 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
規格書
21,000預期2027/7/26
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
規格書
11,505在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel