IAUZ4xN06S5 60V Automotive OptiMOS™ - MOSFET
Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V Automotive OptiMOS™ - MOSFET具有低漏源導通電阻、低閘極電荷及低閘極電容,將傳導和開關損耗降至最低。這些N通道增強模式的MOSFET還具有極低的22.7nC至23.0nC反向恢復電荷。
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Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V Automotive OptiMOS™ - MOSFET具有低漏源導通電阻、低閘極電荷及低閘極電容,將傳導和開關損耗降至最低。這些N通道增強模式的MOSFET還具有極低的22.7nC至23.0nC反向恢復電荷。