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SUM40014M-GE3

Name: Vishay SUM40014M-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUM40014M-GE3
Price: 203.27 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-SUM40014M-GE3

製造商編號：

SUM40014M-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET TO263 N-CH 40V 200A

規格書:

SUM40014M-GE3 規格書

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$203.27	NT$203.27
	NT$133.36	NT$1,333.60
	NT$98.23	NT$9,823.00
	NT$87.12	NT$43,560.00
完整捲（訂購多個800）
	NT$78.15	NT$62,520.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-263-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	200 A
Rds On - 漏-源電阻:	990 uOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.4 V
Qg - 閘極充電:	182 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	375 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	ThunderFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	Vishay / Siliconix
下降時間:	35 ns
互導 - 最小值:	140 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	10 ns
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
晶體管類型:	ThunderFET Power MOSFET
標準斷開延遲時間:	100 ns
標準開啟延遲時間:	20 ns
每件重量:	1.600 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SUM40014M-GE3 規格書

PCN

Technical Resources

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國台灣
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

SUM40014M N-Channel 40V MOSFET

Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET provides 40V_DS drain-source voltage in a single-configuration D²PAK package with ThunderFET® power. The MOSFET utilizes a lead-free and RoHS-compliant design and is 100% R_g and UIS tested. Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET is suitable for use in DC/DC converters, battery management applications, power tools, and motor drive switches.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.