AFGHL75T65SQDC

onsemi
863-AFGHL75T65SQDC
AFGHL75T65SQDC

製造商：

說明：
IGBT IGBT with SiC copack diode IGBT - Hybrid IGBT 650 V

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於onsemi AFGHL75T65SQDC的資訊

庫存量: 447

庫存：
447 可立即送貨
工廠前置作業時間：
8 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$385.90 NT$385.90
NT$230.52 NT$2,305.20
NT$193.46 NT$19,346.00
NT$184.62 NT$83,079.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL75T65SQDC
Tube
品牌: onsemi
集電極最大連續電流Ic : 80 A
柵射極漏電電流: 400 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 450
子類別: IGBTs
公司名稱: EliteSiC
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT

onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT offers 4th generation high-speed IGBT technology. This device is AEC-Q101 qualified and provides optimum performance for hard and soft-switching topologies in automotive applications. onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT also features high current capability, fast switching, and tight parameter distribution.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。