NCV8406DD1CR2G

onsemi
863-NCV8406DD1CR2G
NCV8406DD1CR2G

製造商：

說明：
MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 1,323

庫存：
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工廠前置作業時間：
13 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$40.80 NT$40.80
NT$26.83 NT$268.30
NT$22.24 NT$2,224.00
NT$21.35 NT$10,675.00
NT$20.60 NT$20,600.00
完整捲（訂購多個2500）
NT$20.13 NT$50,325.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
210 mOhms
- 14 V, 14 V
2 V
- 40 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Dual
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: PH
下降時間: 692 ns
濕度敏感: Yes
產品類型: MOSFETs
上升時間: 486 ns
系列: NCV8406DD1CR2G
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 2-Channel
標準斷開延遲時間: 1600 ns
標準開啟延遲時間: 127 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NCV8406DD雙路自我保護低側驅動器

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.

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