FGH50T65UPD

Name: onsemi FGH50T65UPD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH50T65UPD
Price: 273.18 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

512-FGH50T65UPD

製造商編號：

FGH50T65UPD

製造商：

onsemi

說明：

IGBT 650 V 100 A 240 W

壽命週期:

NRND:

不建議用於新設計。

規格書:

FGH50T65UPD 規格書

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$273.18	NT$273.18
	NT$158.10	NT$1,581.00
	NT$141.97	NT$17,036.40
	NT$140.17	NT$71,486.70
	NT$132.29	NT$134,935.80
	NT$131.93	NT$332,463.60

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-247
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.65 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	100 A
Pd - 功率消耗 :	340 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	FGH50T65UPD
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
柵射極漏電電流:	400 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	30
子類別:	IGBTs
每件重量:	6.390 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

FGH50T65UPD 規格書

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 捷克共和國

出貨時，國家可能會有所變更。

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