TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

結果: 11
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
規格書
991庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
規格書
2,495庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
規格書
156庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
規格書
121庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
79庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
規格書
80預期2026/6/15
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel