結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
規格書
257庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube
onsemi IGBT 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching
規格書
383庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
規格書
392庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
規格書
125庫存量
450預期2027/3/19
最少： 1
倍數： 1
最大： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT
規格書
151庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBT 650V/35A FAST IGBT FSII T
規格書
85庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
規格書
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube