NVMYS3D8N04CLTWG

onsemi
863-NVMYS3D8N04CLTWG
NVMYS3D8N04CLTWG

製造商：

說明：
MOSFET T6 40V LL LFPAK

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 3,000

庫存：
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31 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$62.56 NT$62.56
NT$56.78 NT$567.80
NT$37.74 NT$3,774.00
NT$34.34 NT$17,170.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$19.31 NT$57,930.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
87 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
55 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 4 ns
互導 - 最小值: 80 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 100 ns
系列: NVMYS3D8N04CL
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 17 ns
標準開啟延遲時間: 9.3 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMYS3D8N04CL Power MOSFET

onsemi NVMYS3D8N04CL Power MOSFET is a single N-channel MOSFET designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This power MOSFET operates at 40V Drain-to-Source voltage, 3.7mΩ drain resistance, and 87A continuous drain current. The NVMYS3D8N04CL N-channel MOSFET is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications that require enhanced board-level reliability. This device is Pb-free and RoHS Compliant. The NVMYS3D8N04CL is ideal for reverse battery protection power switches, switching power supplies, solenoid drivers, motor control, and load switches.

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