GAN041-650WSBQ

Nexperia
771-GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於Nexperia GAN041-650WSBQ的資訊

庫存量: 349

庫存：
349 可立即送貨
工廠前置作業時間：
4 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$390.32 NT$390.32
NT$306.68 NT$3,066.80
NT$287.64 NT$14,382.00
NT$282.88 NT$28,288.00
NT$240.38 NT$48,076.00
完整捲（訂購多個30）
NT$306.68 NT$9,200.40

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Nexperia
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
Through Hole
SOT-429-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
品牌: Nexperia
配置: Single
下降時間: 10 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品類型: GaN FETs
上升時間: 10 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: GaN
零件號別名: 934661752127
每件重量: 123 mg
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

Application Notes

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

GaN FETs for Industrial Applications

Nexperia GaN FETs for Industrial Applications offer efficient power use and efficiencies in power conversion and control. For some applications, power conversion efficiency and power density are critical for market adoption. Prime examples include high-voltage communications and industrial infrastructure sectors. GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system costs.

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN) FET

Nexperia GAN041-650WSB Gallium Nitride (GaN) FET提供650V漏源電壓、47.2A漏極額定電流及41mΩ最大電阻。GAN041採用TO-247封裝，是一種採用高壓GaN HEMT H2技術及低壓矽MOSFET技術的常斷裝置。這些技術的組合提供卓越的可靠性及性能。Nexperia GAN041-650WSB GaN FET是工業及數據通信電源的無橋圖騰柱PFC、伺服電機驅動、硬開關及軟開關轉換器的理想選擇。

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。