IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs

IXYS IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs are avalanche-rated, N-channel enhancement-mode MOSFETs with a 200V drain-source breakdown voltage. The IXYS IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs come in a TO-220 (IXTP) or TO-263 (IXTA) package and offer 86A or 94A continuous drain current.

結果: 6
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
規格書
2,003庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
規格書
719庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
規格書
1,197庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
規格書
523庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
規格書
620在途量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 36 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube