R60xxKNZ4 Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xxKNZ4 Power MOSFETs are 600V, N-channel MOSFETs designed for switching applications. The R60xxKNZ4 provides low on-resistance and a fast switching speed. The ROHM R60xxKNZ4 Power MOSFETs are available in a TO-247 package that enables easy parallelling.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 30A N-CH MOSFET
規格書
1,700庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 35A N-CH MOSFET
規格書
600庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 24A N-CH MOSFET
規格書
1,162庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube