QPD0005MTR13

Qorvo
772-QPD0005MTR13
QPD0005MTR13

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
ECAD模型:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$288.32 NT$288.32
NT$201.28 NT$2,012.80
NT$192.10 NT$4,802.50
NT$166.60 NT$16,660.00
NT$159.12 NT$39,780.00
NT$147.22 NT$73,610.00
完整捲（訂購多個2500）
NT$125.12 NT$312,800.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
4.5 mm x 4 mm
48 V
品牌: Qorvo
增益: 18.6 dB
最大工作頻率: 5 GHz
最低工作頻率: 2.5 GHz
濕度敏感: Yes
輸出功率: 8 W
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品類型: GaN FETs
系列: QPD0005M
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: HEMT
零件號別名: QPD0005M
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所選屬性: 0

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD0005M RF JFET電晶體

Qorvo QPD0005M RF JFET電晶體是採用塑膠包覆成型DFN封裝的單路徑獨立式GaN on SiC HEMT。電晶體作業範圍為2.5至5.0 GHz。裝置為單級、未匹配的電晶體，能在+48V下作業時提供5.9W的PSAT。

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