RBRxx60ANZ Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type diodes that come in a TO-220FN package. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and operate at -55°C to +150°C temperature range. ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ barrier diodes offer low VF and high reliability. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies and general rectification.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 安裝風格 封裝/外殼 配置 技術 If - 順向電流 Vrrm - 重複反向電壓 Vf - 順向電壓 Ifsm - 順向浪湧電流 Ir - 反向電流 最高工作溫度 封裝
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 10A, ITO-220AB 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 60 V 650 mV 50 A 200 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 20A, ITO-220AB 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 60 V 640 mV 100 A 400 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 30A, ITO-220AB 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 60 V 670 mV 100 A 600 uA + 150 C Tube