Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.

結果: 6
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
接口類型
組織
封裝/外殼
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - TSOP44 tray
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - FBGA48 tray
規格書
480預期2026/6/2
最少： 1
倍數： 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - FBGA48 tray
規格書
219預期2026/6/2
最少： 1
倍數： 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - TSOP44 tray
規格書
67預期2026/6/1
最少： 1
倍數： 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 126
倍數： 126
4 Mbit 512 K x 8 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
RAMXEED F-RAM
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1
4 MB 256 K x 16 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray