NTBLS1D5N10MCTXG

onsemi
863-NTBLS1D5N10MCTXG
NTBLS1D5N10MCTXG

製造商：

說明：
MOSFET PTNG 100V STD TOLL

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$255.68 NT$255.68
NT$193.12 NT$1,931.20
NT$150.62 NT$15,062.00
NT$134.30 NT$134,300.00
完整捲（訂購多個2000）
NT$133.96 NT$267,920.00
4,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
312 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
322 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 90 ns
互導 - 最小值: 230 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 71 ns
系列: NTBLS1D5N10MC
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 83 ns
標準開啟延遲時間: 39 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTBLS1D5N10MC Single N-Channel MOSFET

onsemi NTBLS1D5N10MC Single N-Channel MOSFET has a low RDS(on), ensuring efficient power management. The onsemi NTBLS1D5N10MC features a low QG and capacitance to enhance performance by minimizing charge/discharge times. This MOSFET significantly reduces switching noise and electromagnetic interference (EMI), contributing to a cleaner signal environment.

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

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