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RH7E04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7E04BBJFRATCB
Price: 75.14 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

755-RH7E04BBJFRATCB

製造商編號：

RH7E04BBJFRATCB

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET DFN8 P-CH 30V

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

RH7E04BBJFRATCB 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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瞭解更多關於ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB的資訊

庫存量: 2,400

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$75.14	NT$75.14
	NT$48.28	NT$482.80
	NT$32.71	NT$3,271.00
	NT$26.08	NT$13,040.00
	NT$24.62	NT$24,620.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$23.43	NT$70,290.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-8
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	40 A
Rds On - 漏-源電阻:	7.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 5 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	65 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	75 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	105 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	17 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	160 ns
標準開啟延遲時間:	13 ns

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若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

RH7E04BBJFRATCB 規格書

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET is a -30V drain-source voltage (V_DSS) and ±40A drain current (I_D) rated automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. This MOSFET has a drain-source on-state resistance (R_DS(ON)) of 7.52mΩ (max.) with V_GS = -10V, I_D= -20A or 11.3mΩ (max.) with V_GS = -4.5V, I_D = -10A. The total gate charge (Q_g) is 65.0nC (typ.) with V_DD = -15V, I_D = -10A, V_GS = -10V. The ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.