NXH015F120M3F1PTG

Name: onsemi NXH015F120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-XH015F120M3F1PTG
Price: 2314.38 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-XH015F120M3F1PTG

製造商編號：

NXH015F120M3F1PTG

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET模組 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

NXH015F120M3F1PTG 規格書

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$2,314.38	NT$2,314.38
	NT$2,020.62	NT$20,206.20

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Press Fit
封裝/外殼:	42.5 mm x 33.8 mm
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	77 A
Rds On - 漏-源電阻:	19 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.4 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	198 W
系列:	NXH015F120M3F1PTG
封裝:	Tray
品牌:	onsemi
配置:	Quad
下降時間:	7.5 ns
高度:	12 mm
長度:	42.5 mm
產品:	MOSFET Modules
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	8.6 ns
原廠包裝數量:	28
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	Full Bridge
標準斷開延遲時間:	103 ns
標準開啟延遲時間:	33.3 ns
Vf - 順向電壓:	4.67 V
寬度:	33.8 mm

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NXH015F120M3F1PTG 規格書

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge topology and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package. This power module features at +22V/-10V gate source voltage, 77A continuous drain current @ T_C = 80°C (T_J = 175°C), 198W maximum power dissipation, and 12.7mm creepage distance. The NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET comes with pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The SiC module is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include a solar inverters, uninterruptible power supplies, electric vehicle charging stations, and industrial power.