SRAM記憶體與資料儲存產品

Renesas Electronics SRAM記憶體及資料儲存產品使用進階低功率SRAM技術提供高密度和高性能的RAM。這些SRAM產品-40℃至85℃的寬溫度範圍及2.7V至3.6V(3V零件)或4.5V至5.5V(5V零件)電壓範圍運行。SRAM記憶體及資料儲存產品還提供低功率待機功率消耗,適用於記憶體應用、電池操作及電池備用設計。

結果: 27
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C
466預期2026/2/20
最少: 1
倍數: 1

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 1MB X8 3V SOP 55NS -40TO85C 前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

Tray