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FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 110.06 TWD
Availability: OutOfStock

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請參閱產品規格

Mouser 編號：

512-FDB0250N807L

製造商編號：

FDB0250N807L

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

規格書:

FDB0250N807L 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-263-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	240 A
Rds On - 漏-源電阻:	6 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	143 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	214 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	PowerTrench
封裝:	Reel
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	39 ns
互導 - 最小值:	113 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	64 ns
系列:	FDB0250N807L
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	79 ns
標準開啟延遲時間:	45 ns
每件重量:	1.600 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

FDB0250N807L 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 大韓民國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

FDB0250N807L N-Channel MOSFET

onsemi FDB0250N807L N-Channel MOSFET uses the advanced PowerTrench^® process to minimize the on-state resistance. This process maintains superior ruggedness and switching performance for industrial applications. Features include fast switching speed, low gate charge, high power and current handling capability. The FDB0250N807L MOSFET is used in the industrial motor drives, power supplies, battery-operated tools, load switches, UPS, and energy inverters.