RV4E031RPHZGTCR1

ROHM Semiconductor
755-RV4E031RPHZGTCR1
RV4E031RPHZGTCR1

製造商：

說明：
MOSFET AECQ

規格書:
ECAD模型:
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NT$10.27 NT$61,620.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1616-6W
P-Channel
1 Channel
30 V
3.1 A
105 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
4.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: JP
下降時間: 18 ns
互導 - 最小值: 1.5 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 22 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 35 ns
標準開啟延遲時間: 7 ns
零件號別名: RV4E031RPHZG
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所選屬性: 0

規格書

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RV4E031RP HZG Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG Small Signal MOSFET features low on-resistance, a small high power package, and a low voltage drive. This MOSFET is 100% UIS tested and includes a Wettable Flank for Automated Optical-solder Inspection (AOI). The RV4E031RP HZG signal MOSFET operates at -55°C to 150°C junction temperature range and storage temperature range. This MOSFET offers -30V drain-source voltage, ±3.1A continuous drain current, and 1.5W power dissipation. Typical applications include switching circuits, high side load switch, and high-speed line driver.

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