NCV57001FDWR2G

Name: onsemi NCV57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001FDWR2G
Price: 149.94 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NCV57001FDWR2G

製造商編號：

NCV57001FDWR2G

製造商：

onsemi

說明：

電氣隔離式閘極驅動器 ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

規格書:

NCV57001FDWR2G 規格書

ECAD模型:

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NT$-.--

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NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$149.94	NT$149.94
	NT$87.04	NT$870.40
	NT$86.36	NT$2,159.00
	NT$79.56	NT$7,956.00
完整捲（訂購多個1000）
	NT$79.22	NT$79,220.00
	NT$76.50	NT$153,000.00
	NT$76.16	NT$380,800.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	電氣隔離式閘極驅動器
RoHS:
系列:	NCV57001FDWR2G
安裝風格:	SMD/SMT
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
上升時間:	10 ns
下降時間:	15 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Inverting, Non-Inverting
驅動器數:	1 Driver
輸出數:	1 Output
輸出電流:	4 A
產品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
產品類型:	Galvanically Isolated Gate Drivers
原廠包裝數量:	1000
子類別:	PMIC - Power Management ICs
電源電壓 - 最大值:	5 V
電源電壓 - 最小值:	3.3 V

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規格書

NCV57001FDWR2G 規格書

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

將閘極驅動器與EliteSiC MOSFET搭配使用

電動車充電、能源儲存、不斷電系統 (UPS) 和太陽能等能源基礎設施應用正在將系統功率推至數百千瓦，甚至兆瓦等級。這些高功率應用採用半橋、全橋和三相拓撲，為逆變器和BLDC提供多達6個開關的工作週期。視功率等級和開關速度而定，系統設計人員需要包括矽、IGBT和SiC等各種不同的開關技術來滿足其應用要求。

NCV57001F IGBT Gate Driver

onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation designed for high system efficiency and reliability. This gate driver features complementary inputs, open-drain FAULT, and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. This gate driver provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. Typical applications include automotive power supplies, hybrid/electric vehicle (HEV/EV) powertrains, BSG inverters, and positive temperature coefficient (PTC) heaters.