RQ3L060BGTB1

ROHM Semiconductor
755-RQ3L060BGTB1
RQ3L060BGTB1

製造商：

說明：
MOSFET HSMT8 N-CH 60V 15.5A

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$44.88 NT$44.88
NT$29.21 NT$292.10
NT$19.92 NT$1,992.00
NT$17.00 NT$8,500.00
NT$15.50 NT$15,500.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$13.91 NT$41,730.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
1 Channel
60 V
15.5 A
38 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
5.5 nC
- 55 C
+ 150 C
14 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 4.8 ns
互導 - 最小值: 4 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 4.3 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 18.5 ns
標準開啟延遲時間: 7.4 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3L060BG功率MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源電壓(VDSS)和±15.5A連續漏極電流。此N通道MOSFET具有38mΩ低導通電阻(RDS(on))及14W功耗。RQ3L060BG MOSFET在-55°C至150°C工作結溫和儲存溫度範圍內運行，並採用無鹵素高功率小型模塑封裝 (HSMT8)。此元件符合RoHS標準，採用無鉛電鍍。典型應用包括開關、馬達驅動和DC/DC轉換器。

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