NTH4L023N065M3S

onsemi
863-NTH4L023N065M3S
NTH4L023N065M3S

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於onsemi NTH4L023N065M3S的資訊

庫存量: 232

庫存：
232 可立即送貨
工廠前置作業時間：
44 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$444.18 NT$444.18
NT$308.31 NT$3,083.10
NT$231.59 NT$27,790.80

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
33 mOhms
- 8 V, + 22 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
245 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 9.6 ns
封裝: Tube
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 15 ns
系列: NTH4L023N065M3S
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 35 ns
標準開啟延遲時間: 11 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
大韓民國
出貨時，國家可能會有所變更。

NTH4L023N065M3S SiC MOSFET

onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET offers a 650V blocking voltage rating, 153pF output capacitance, and a TO-247-4L package with Kelvin source configuration. This MOSFET is designed for fast switching applications, and the featured planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. The NTH4L023N065M3S MOSFET provides optimum performance when driven with an 18V gate drive and works well with a 15V gate drive. onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET is ideal for EV chargers, AI data centers, and solar applications.

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。