NTH4L023N065M3S

onsemi
863-NTH4L023N065M3S
NTH4L023N065M3S

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$393.72 NT$393.72
NT$273.36 NT$2,733.60
NT$260.10 NT$26,010.00
NT$218.62 NT$98,379.00
NT$216.58 NT$194,922.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
33 mOhms
- 8 V, + 22 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
245 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 9.6 ns
封裝: Tube
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 15 ns
系列: NTH4L023N065M3S
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 35 ns
標準開啟延遲時間: 11 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTH4L023N065M3S SiC MOSFET

onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET offers a 650V blocking voltage rating, 153pF output capacitance, and a TO-247-4L package with Kelvin source configuration. This MOSFET is designed for fast switching applications, and the featured planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. The NTH4L023N065M3S MOSFET provides optimum performance when driven with an 18V gate drive and works well with a 15V gate drive. onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET is ideal for EV chargers, AI data centers, and solar applications.

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

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