NXH020U90MNF2PTG

Name: onsemi NXH020U90MNF2PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH020U90MNF2PTG
Price: 5631.08 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

863-NXH020U90MNF2PTG

製造商編號：

NXH020U90MNF2PTG

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET模組 PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

規格書:

NXH020U90MNF2PTG 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi NXH020U90MNF2PTG的資訊

庫存量: 49

庫存：: 49 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 16 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$5,631.08	NT$5,631.08
	NT$5,109.52	NT$51,095.20
100	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Press Fit
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	900 V
Id - C連續漏極電流:	149 A
Rds On - 漏-源電阻:	14 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, + 18 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.3 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	352 W
系列:	NXH020U90MNF2
封裝:	Tray
品牌:	onsemi
配置:	Dual Common Source
下降時間:	12.8 ns
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	19.8 ns
原廠包裝數量:	20
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EliteSiC
類型:	SiC MOSFET Module
標準斷開延遲時間:	110 ns
標準開啟延遲時間:	43.2 ns
Vf - 順向電壓:	2.3 V
Vr - 反向電壓:	1.2 kV

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NXH020U90MNF2PTG 規格書

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

NXH020U90MNF2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH020U90MNF2 Silicon Carbide (SiC) Modules are Vienna SiC modules with 2x 10mohm 900V SiC MOSFET switches. The onsemi devices also have 2x 100A 1200V SiC diodes and a thermistor. The NXH020U90MNF2 is housed in an F2 package. The SiC MOSFET switches use M2 technology and are driven with a 15V to 18V gate drive.