EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs are housed in highly efficient and space-saving LFPAK56 packages. These MOSFETs are Avalanche-rated. The NextPowerS3 MOSFETs support a maximum junction temperature of +175°C. These MOSFETs are EU RoHS-compliant. The NextPowerS3 MOSFETs feature a peak soldering temperature of +260°C and a -55°C to +175°C storage temperature range. Typical applications include DC-to-DC converters and brushless DC motor control.

結果: 8
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A
規格書
1,922庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A
規格書
1,346庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A
規格書
1,945庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A
規格書
2,085庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A
規格書
1,922庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A
規格書
1,890庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A
規格書
1,935庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A
規格書
1,385庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement