TGF297x GaN RF Transistors

Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz and offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at a high drain bias operation. Qorvo TGF297x GaN RF Transistors are ideal for military radar and commercial radar including avionics, marine, and weather.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 最高工作溫度 Pd - 功率消耗
Qorvo 氮化鎵場效應管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB 305庫存量
700在途量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W