NTMFD0D9N02P1E

Name: onsemi NTMFD0D9N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD0D9N02P1E
Price: 144.83 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTMFD0D9N02P1E

製造商編號：

NTMFD0D9N02P1E

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

壽命週期:

壽命結束:

計劃停產且製造商將停止供貨。

規格書:

NTMFD0D9N02P1E 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PDFN-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	25 V, 30 V
Id - C連續漏極電流:	77 A, 180 A
Rds On - 漏-源電阻:	720 uOhms, 3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 12 V, 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	19 nC, 67 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	29.2 W, 37.4 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Dual
下降時間:	3 ns, 10 ns
互導 - 最小值:	147 S, 311 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	2 ns, 4 ns
系列:	NTMFD0D9N02P1E
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 N-Channel
標準斷開延遲時間:	25 ns, 70 ns
標準開啟延遲時間:	8 ns, 15 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 菲律賓
擴散國:: 中國台灣

出貨時，國家可能會有所變更。

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET is a dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications. This MOSFET consists of an asymmetric POWERTRENCH^® power clip. The NTMFD0D9N02P1E MOSFET features low R_DS(on) to minimise conduction losses and low QG, and capacitance to minimise driver losses. This MOSFET is available in a small footprint of 5mm x 6mm compact design. The NTMFD0D9N02P1E MOSFET is Pb and halogen/BFR-free and is RoHS-compliant. Typical applications include DC−DC converters, system voltage rails, and general-purpose point-of-load.

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	NT$144.83	NT$144.83
	NT$95.36	NT$953.60
	NT$67.04	NT$6,704.00
	NT$60.95	NT$30,475.00
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NTMFD0D9N02P1E

製造商： onsemi

說明： MOSFET IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

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