結果: 25
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3
規格書
1,432庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
規格書
262庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 255 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
規格書
2,811庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
規格書
188庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 150 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 200 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
規格書
2,025庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3.9 V 13 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3
規格書
569庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 63 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3
規格書
420庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.7 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
規格書
609庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 34.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
規格書
產品評論
43庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
規格書
1,596庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
規格書
1,152庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
規格書
1,488庫存量
2,400預期2026/7/2
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 252 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
規格書
423庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
規格書
2,538庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 32 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3
規格書
220庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3
規格書
535庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3
規格書
476庫存量
1,000預期2026/7/2
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
規格書
335庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 66 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
規格書
84庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 21 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
規格書
915庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 24.3A TO220-3
規格書
211庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24.3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 104.9 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
規格書
720預期2026/8/13
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 32 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 170 nC - 55 C + 150 C 284 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
規格書
前置作業時間 11 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 560V 21A I2PAK-3
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube