S80KS2562 & S80KS2563 256Mb HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS2562 and S80KS2563 HYPERRAM™ 2.0 Memory are high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) with a HyperBUS (S80KS2562) or Octal xSPI (S80KS2563) interface. Both devices feature a 200MHz maximum clock rate, a data throughput of up to 400MBps, and energy-saving Hybrid Sleep and Deep Power-Down modes. The S80KS2562 and S80KS2563 HYPERRAM are ideal for use in high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes.

結果: 6
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies S80KS2563GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
181庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
160庫存量
520預期2026/7/2
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
446庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
338預期2026/6/18
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray