SISH892BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISH892BDN-T1-GE3
SISH892BDN-T1-GE3

製造商:

說明:
MOSFET PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

ECAD模型:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™
NT$43.18 NT$43.18
NT$27.20 NT$272.00
NT$17.99 NT$1,799.00
NT$14.01 NT$7,005.00
NT$12.72 NT$12,720.00
完整捲(訂購多個3000)
NT$11.05 NT$33,150.00
NT$10.23 NT$61,380.00
NT$10.17 NT$91,530.00
NT$10.06 NT$241,440.00
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
100 V
20 A
30.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
17.4 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 4 ns
互導 - 最小值: 33 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5 ns
系列: SISH
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: TrenchFET Gen IV Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 19 ns
標準開啟延遲時間: 9 ns
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是下一代TrenchFET®系列功率MOSFET。TrenchFET第四代MOSFET在PowerPAK® SO-8及1212-8S封裝中提供工業低電阻與低柵極總電荷。這些TrenchFET第四代MOSFET具有極低的RDS(on)特性,轉化為更低的傳導損耗,從而降低功耗。TrenchFET MOSFET還配備了節省空間的PowerPAK® 1212-8封裝,具有類似的效率,但體積只有它的三分之一。典型應用包括大功率DC/DC變換器、同步整流、太陽能微型逆變器及電機驅動開關。

SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET featuring 100% Rg and UIS tested. The SISH892BDN MOSFET offers a 100V VDS, 20A ID, and 8nC Qg. The Vishay / Siliconix SISH892BDN MOSFET is available in a PowerPAK® 1212-8SH package and has an operating junction and storage temperature range of -55°C to +150°C.