NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET

onsemi  NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET是一款F1封裝的功率模組，包含全橋和熱敏電阻。這些MOSFET具有熱敏電阻和壓合式引腳。 NXH0x0F120MNF1模組提供預塗熱界面材質(TIM)和不預塗TIM兩種選擇。這些Si/SiC混合模組理想適用於太陽能逆變器、不間斷電源、電動汽車充電站和工業電力。NXH0x0F120MNF1模組無鉛、無鹵化物，並符合RoHS規定。這些模組的儲存溫度範圍為-40°C至150°C，工作結溫範圍為-40°C至175°C。 

結果: 6
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
系列
封裝
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET模組 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
規格書
23庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 149 A - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 353 W NXH007F120M3F2PTHG Tray
onsemi NXH011F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET模組 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
規格書
12庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 244 W NXH011F120M3F2PTHG Tray

onsemi MOSFET模組 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模組 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模組 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET
規格書
28工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 28
倍數： 28
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模組 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET
規格書
28工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 28
倍數： 28
SiC NXH040F120MNF1 Tray