RFUH25NS3S Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFUH25NS3S Fast Recovery Diodes feature ultra-low switching loss and high current overload capacity. These recovery diodes include silicon epitaxial planar-type construction. The RFUH25NS3S recovery diodes offer 350V repetitive peak reverse voltage, 10μA reverse current, and 100A forward current surge peak. These recovery diodes operate at 1.45V maximum forward voltage and stored at -55°C to 150°C temperature range. The RFUH25NS3S super fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
Vr - 反向電壓
If - 順向電流
類型
配置
Vf - 順向電壓
最大衝擊電流
Ir - 反向電流
恢復時間
最高工作溫度
資格
封裝
ROHM Semiconductor 整流器 RFU 600V
規格書
1,574庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 整流器 RECT 430V 20A SM SUPER FST
規格書
1,000庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263S-3 430 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.7 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 整流器 RECT 350V 20A SM SUPER FST
規格書
980庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape