ML630Q466-NNNTBZWAX

Name: ROHM Semiconductor ML630Q466-NNNTBZWAX
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-ML630Q466NNNTBZW
Price: 419.45 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

755-ML630Q466NNNTBZW

製造商編號：

ML630Q466-NNNTBZWAX

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

ARM微控制器 - MCU Low Pwr 128KB Prgrm 16KB SRAM 2KB Data

規格書:

ML630Q466-NNNTBZWAX 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於ROHM Semiconductor ML630Q466-NNNTBZWAX的資訊

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	ARM微控制器 - MCU
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TQFP-100
核心:	ARM Cortex M0+
程序內存大小:	128 kB
數據匯流排寬度:	32 bit
ADC解析度:	12 bit
最高時鐘頻率:	24 MHz
輸入/輸出數:	38 I/O
數據存儲器大小:	16 kB
電源電壓 - 最小值:	1.8 V
電源電壓 - 最大值:	3.6 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
封裝:	Tray
品牌:	ROHM Semiconductor
數據存儲器類型:	SRAM
數據記憶體大小:	2 kB
數據記憶體類型:	EEPROM
開發套件:	RB-D630Q466TB100
接口類型:	GPIO, I2C, SPI, UART, USB
濕度敏感:	Yes
ADC通道數目:	12 Channel
定時器/計數器數目:	8 x 8 bit
工作電源電壓:	1.8 V to 3.6 V
產品:	MCUs
產品類型:	ARM Microcontrollers - MCU
程序存儲器類型:	Flash
原廠包裝數量:	900
子類別:	Microcontrollers - MCU
監察定時器:	Watchdog Timer

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

ML630Q466-NNNTBZWAX 規格書 (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

此功能需要啟用JavaScript。

合規守則

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 泰國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

ML630Q466 Ultra Low Power 32-bit MCU

ROHM Semiconductor ML630Q466 Ultra Low Power 32-bit MCU is a high-performance microcontroller ideal for visualizing logistics data with data loggers. The ROHM Semiconductor ML630Q466 is the first IC in the industry to integrate all major functions required for data logging, acquisition, and PDF file generation on a single chip. This ML630Q466 microcontroller features a 32-bit CPU core Cortex^TM-M0+, 128KB flash memory, 16KB RAM, UART, A/D converter, and LCD driver. The flash ROM of this MCU is installed as a program memory that achieves low-voltage and low-power consumption operation, which is more suitable for battery-driven applications.