HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
規格書
261庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 87 nC - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds
規格書
229庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160Amps 40V
規格書
37庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 230 Amps 75V
規格書
123庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 300 Amps 40V
規格書
414庫存量
150預期2026/4/3
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
規格書
101庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds
規格書
146庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 49 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
規格書
232庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds
規格書
50庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 75 V 90 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 54 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 130Amps 200V
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 16 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
規格書
96庫存量
300預期2026/3/25
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 5.8 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 132 nC - 55 C + 175 C 430 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
規格書
73庫存量
1,230在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
規格書
104庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 260 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 40V
規格書
300庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds
規格書
139庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 75V
規格書
281庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170 Amps 75V
規格書
322庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 170 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds
規格書
250庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 230 Amps 75V
規格書
184庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
規格書
42庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 2A N-CH X2CLASS
規格書
220庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
規格書
208庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds
規格書
847庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27.4 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
規格書
150庫存量
600在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 48 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
規格書
295庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube