HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 100 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 26A
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 30A
規格書
無庫存前置作業時間 44 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
規格書
無庫存前置作業時間 44 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 30A
規格書
暫無庫存
最少： 90
倍數： 30

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 850V 30A N-CH XCLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 36A
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 40 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
規格書
無庫存前置作業時間 44 週
最少： 300
倍數： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 93 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
規格書
無庫存前置作業時間 44 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 50 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 65 nC 690 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-268AA
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 960 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-268HV
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 69 A 49 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 300
倍數： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET HiPerFET Power MOSFET 暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-268-3 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXFT80N65X2HV TRL
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 400
倍數： 400
捲: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC 890 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET 暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-268-3 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 300V 88A
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 120V 300V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 140A 250V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 140 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 170A 200V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A HiPerFET Tube