HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝

IXYS MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Ohm Rds
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 11 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 235 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 500 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 460 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 205 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1000V
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 390 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 32 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 44A
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 185 nC 1.25 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 48A
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 1 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 145 nC 1 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 190 nC 1.25 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 66 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 90 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 1.1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
規格書
前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 98 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 600 V 4 A 2.2 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 850V 4A N-CH XCLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 500 V 5 A 1.65 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 40V
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube