HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET IXTA102N15T TRL
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 800
倍數： 800
捲: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 40V
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 75V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 65V
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 65 V 130 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 N-CH 55V 140A
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 140 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 82 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 120V 140A N-CH TRENCH
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 140 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 174 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 430 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 430 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170 Amps 75V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 75 V 170 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 N-CH 55V 200A
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/9A Power MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 N-CH 75V 230A
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 N-CH 55V 260A
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 260 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 260 Amps 55V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 55 V 260 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube