PSRAM (Pseudo SRAM) 半導體

半導體的類型

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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR 102庫存量
108,000預期2026/7/21
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR 391庫存量
3,000預期2026/7/9
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC) 160庫存量
最少: 1
倍數: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 426庫存量
最少: 1
倍數: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, USON8 2,903庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 10,000

Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT 422庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2,341庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885庫存量
最少: 1
倍數: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed 3,665庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,887庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 1,080庫存量
最少: 1
倍數: 1

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed 3,234庫存量
14,400預期2026/7/13
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 153庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 136庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8 171庫存量
500預期2026/7/6
最少: 1
倍數: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 1,834庫存量
最少: 1
倍數: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 24庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL 230庫存量
最少: 1
倍數: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
4,800預期2026/7/6
最少: 1
倍數: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
4,782預期2026/7/21
最少: 1
倍數: 1

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
2,880預期2026/7/21
最少: 1
倍數: 1

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
6,474預期2026/9/14
最少: 1
倍數: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, USON8
9,632預期2026/9/21
最少: 1
倍數: 1
: 10,000

ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
1,920在途量
最少: 1
倍數: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 無庫存前置作業時間 15 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000